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적외선 물체감지센서 [YS-1074]

-> 불투명 물체가 접근하면 반응하는 센서모듈입니다.
1. 광 방식 IR 적외선을 사용 합니다.
2. 적외선이 물체에 반사되어 오는 것을 감지하여 작동합니다.
3. 검출 거리는 약 100mm정도 입니다.
4. 출력은 LED와 TTL레벨로 나옵니다.

＊가격 : 3,300 원

사용방법
1. 전원 및 출력 : 5V, OUT, - 표기된곳
2. 발광, 수광부분을 환경에 맞게 구부려 사용 합니다.
3. 물체 미 검출시 : 5V High 레벨 출력과 LED는 OFF
4. 물체 검출시 : 0V Low 레벨 출력과 LED는 ON
5. 감도조절 : 볼륨을 완전히 반시계 방향으로 돌린후 다시 시계방향
으로 조금씩 돌려 LED가 켜지면 멈추고 다시 반시계로 돌려 꺼질
때까지만 돌린 후 멈춤니다. 이제 물체를 접근 시키면 LED는
켜지고 멀리 하면 꺼지는 것을 확인 할 수 있습니다.
6. 물체의 거리에 비례하는 출력값이 나오므로 MCU(Arduino 등)에서
아나로그 입력 처리 하면 이격 거리를 알 수 있습니다.
7. PCB 하단 5V, OUT, - 표기된 부분도 출력단으로 동일 합니다.

제원 및 특성
1. 전원 : DC 5V
2. 최대 검출거리 : 약 100mm ( 백색물체 기준 )
3. 크기 : 36mm X 15mm

참고사항
1. 볼륨에 의해 반응거리를 조절 할 수 있습니다.
2. 발광 수광 LED의 간격, 방향에 따라 반응 상태가 달라 집니다.
3. 물체의 색상이 검정색일 경우 검출 되지 않을 수 있습니다.
4. 주변 조도영향을 받을 수 있습니다.

참고자료
발광소자 PI-2Q321
1. Feature
▷The PI-2A321 is a infrared emitting diode which mounted
high power 940㎚IR CHIP.
▷It is encapsulated in dark blue clear epoxy resin with
3㎜ diameter.
▷The radiation substrate material is GaAlAs.
▷High reliability and long tern stability.

2. Absolute maximum ratings. ( Ta = 2 5℃ )
Forward current 100㎃
Reverse voltage 5V
Pulse forward current 1A
Power dissipation 200㎽
Operation temperature - 20 + 80℃
Storage temperature 30 + 100℃
Soldering temperature 260 (within 5 sec)℃

3. Electrical/optical characteristics.( Ta = 2 5℃ )
Forward voltage IF = 100 ㎃ 1.35~1.70V
Reverse current VR = 5 V 10㎂
*Radiant intensity IF = 100 ㎃ 25~45mV
Peak light emitting wavelength IF = 100 ㎃ 940㎚
Spectral half wave width IF = 100 ㎃ 45㎚
Viewing angle IF = 20 ㎃ ±20deg
Capacitance ct f = 1㎒ 25PF

수광소자 ST3811
Features
• φ3mm(T-1) all plastic mold type
• Visible light cut-off type
Features
• VCR, Camcorders
• Floppy disk drivers
• Optical detectors

Collector-Emitter Voltage VCEO 35 V
Emitter-Collector Voltage VECO 6 V
Collector Current IC 20 mA
Collector Power Dissipation PD 75 mW
Current Dark Current ICEO VCEO=10V, Ee=0 - 0.05 0.5 uA
*3Light Current ICEL VCE=5V, Ee≒1mW/㎠ - 4.5 - mA
Peak Sensitivity Wavelength λP - - 880 - nm
Peak Sensitivity Wavelength λP - - 880 - nm
Rise Switching Time VCC=10V, IC=1mA R1=100Ω ->2.5uS
Fall Switching Time VCC=10V, IC=1mA R1=100Ω ->3.8uS

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